特許
J-GLOBAL ID：200903020364964001
半導体装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-153302
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340267
出願日： 2004年05月24日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】 耐熱性と400°C以下のダイボンディング性を備えた鉛を使用しない接合材料を用いた熱疲労信頼性がある鉛を使用しない半導体装置を提供する。【解決手段】 43wt%≦Sb/(Sn+Sb)重量比<53wt%の組成比率のSn-Sb合金に、Ag、Cuを1種以上かつ5〜30wt%の量を添加した合金を半田材6、7、8、9とし半導体素子1とベース電極2、リード電極3とを、間に熱膨張率10ppm以下の低熱膨張部材4を介在させて接合する。各部材の接合面をNiメタライズ化して耐熱性とダイボンディング性を確保した。半導体素子1の破損防止と熱疲労寿命の向上を同時に可能にした。250°Cの耐熱信頼性、7000回以上の熱疲労信頼性を確保できる鉛を使用しない半導体装置Aを提供できる。耐熱性と熱疲労寿命を低下させずに接合材に鉛を使用しないことが求められている自動車用途向けの大容量半導体装置として有効に適用することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
整流作用を有する半導体素子と、前記半導体素子の一方の電極面と接合材によって電気的に接続されたリード電極端子と、前記半導体素子の他方の電極面と接合材によって接続されたベース電極端子と、前記半導体素子と両前記電極端子との接合部分を絶縁封止する絶縁部材とを備えた半導体装置であって、
前記接合材が、固相線温度が300°C以上、かつ液相線温度が400°C以下で、Pbを含まずSn、Sbを主要構成元素とする合金材料で構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/52 E
, H01L23/48 F
5F047BA05
, 5F047BA14
, 5F047BA15
, 5F047BA19
出願人引用 (2件)
審査官引用 (8件)
全件表示
前のページに戻る
