基板の処理方法及び処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-346985
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173964
出願日： 1998年12月07日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】この発明は半導体ウエハに形成されたレーザマークを洗浄する洗浄方法を提供することにある。【解決手段】半導体ウエハ10の板面に設けられたレーザマーク51を洗浄する処理方法において、上記半導体ウエハ10を保持して周方向に回転させる工程と、上記半導体ウエハに設けられたレーザマークを非接触で間接的あるいは直接的に検出する工程と、上記レーザマークの検出に基づいて上記半導体ウエハの回転を制御してその半導体ウエハに設けられたレーザマークに超音波振動が付与された処理液を噴射する工程とを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板の板面に設けられたレーザマークを洗浄する処理方法において、上記基板を保持して周方向に回転させる工程と、上記基板に設けられたレーザマークを非接触で間接的あるいは直接的に検出する工程と、上記レーザマークの検出に基づいて上記基板の回転を制御してその基板に設けられたレーザマークに超音波振動が付与された処理液を噴射する工程とを具備したことを特徴とする基板の処理方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置のウェハー構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-059425 出願人：三星電子株式会社
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-209040 出願人：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
処理装置及び処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-219464 出願人：東京エレクトロン株式会社

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