特許
J-GLOBAL ID：200903020559924462

フォトニックデバイスおよびその製造方法

発明者：
柴田 智彦

柴田 智彦 について

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浅井 圭一郎

浅井 圭一郎 について

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長井 晃余

長井 晃余 について

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田中 光浩

田中 光浩 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-114065
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176196
出願日： 2001年04月12日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：
【要約】【課題】サファイア基板の上に、クラックがなく、結晶性に優れたAlGaInNバッファ層を有し、その上にクラックがなく、結晶性に優れたAlGaInNデバイス多層膜を成膜したフォトニックデバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板本体と、その表面に形成されたAlGaInNバッファ層とを有する基板の上に、AlxGayInzN(x+y+z=1,x,y,z≧0)となるようにAlGaInNデバイス多層膜が成膜されたフォトニックデバイスにおいて、バッファ層中の最少のAl組成を、デバイス多層膜中の最大膜厚の層のAl組成以上とし、バッファ層のAl組成xを、デバイス多層膜とは反対側よりデバイス多層膜に向けて、連続的またはステップ状に小さくする。
請求項（抜粋）：
サファイア、ZnO、SiC、Si、GaAs、GaNなどを基板本体として、その一方の表面に堆積形成されたAlxGayInzN(x+y+z=1,x,y,z≧0)バッファ層と、このバッファ層の表面にエピタキシャル成長により堆積形成されたAlxGayInzN(x+y+z=1,x,y,z≧0)デバイス多層膜とを具えるフォトニックデバイスにおいて、前記バッファ層中の、Al組成が最少の部分のAl組成を、前記デバイス多層膜中の少なくとも最大膜厚の層のAl組成以上とし、前記バッファ層のAl組成xを、前記デバイス多層膜とは反対側よりデバイス多層膜に向けて、連続的またはステップ状にAl組成比xの値が小さくなるように構成したことを特徴とする、フォトニックデバイス。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10
FI (4件)：
H01L 33/00 C ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10 A
Fターム (44件)：
4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB01 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA60 ,  5F045AA04 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA58 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049SS01 ,  5F049SS03 ,  5F049SS04 ,  5F049WA05
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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