特許
J-GLOBAL ID：200903020604895193

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-050784
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303833
出願日： 1999年11月25日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】【課題】 MOSトランジスタと同等かそれ以上の信頼性を達成すると同時にオン領域とオフ領域の両方で良好な特性が得られる結晶質TFTを実現することを目的とする。【解決手段】 ゲート電極をゲート絶縁膜に接して形成されるゲート電極の第1層目と、前記ゲート電極の第1層目上であって該ゲート電極の第1層目の内側に形成されるゲート電極の第2層目と、前記ゲート電極の第1層目と前記ゲート電極の第2層目とに接して形成されるゲート電極の第3層目とで形成し、半導体層は、チャネル形成領域と、一導電型の第1の不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記第1の不純物領域との間に形成された一導電型の第2の不純物領域とを有し、前記一導電型の第2の不純物領域の一部は前記ゲート電極の第1層目と重なっていることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に、触媒元素を用いて結晶質シリコン膜を形成し、前記結晶質シリコン膜に接して、ゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に、第1導電層と第2導電層を順次形成し、前記第2導電層の一部をエッチングして、島状の第2導電層を形成し、一導電型の不純物元素を、前記島状の第2導電層をマスクとして、前記結晶質シリコン膜に添加し、前記第1導電層と前記ゲート電極の第2層目とに接して、第3導電層を形成し、前記第3導電層と前記第1導電層の一部をエッチングして、島状の第3導電層と島状の第1導電層をそれぞれ形成し、前記一導電型の不純物元素を前記結晶質シリコン膜の選択された領域に添加した後、加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (6件)：
H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/14
FI (9件)：
G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 R ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 617 L ,  H01L 29/78 627 F ,  H01L 29/78 617 K
Fターム (109件)：
2H092JA25 ,  2H092JA28 ,  2H092JA36 ,  2H092JA40 ,  2H092JB56 ,  2H092JB64 ,  2H092JB66 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KB25 ,  2H092MA29 ,  2H092NA22 ,  3K007AB11 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  5F052AA02 ,  5F052AA03 ,  5F052AA17 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB01 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DA05 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB04 ,  5F052DB07 ,  5F052EA12 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052FA01 ,  5F052FA06 ,  5F052JA04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP23 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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