磁気抵抗素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-349839
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174359
出願日： 1998年12月09日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】スピン偏極率が高く大きな磁気抵抗変化を示し、また高い磁気転移点を有し、かつ抵抗率も高い磁性体を用い、室温で良好な磁気抵抗特性を有する磁気抵抗素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は磁性体膜が一般式(1) A2+xtm1+yTM1+zO6-δ(AはCa,Sr,Baより選ばれた少なくとも一種、tmは、Mn,Ni,Coより選ばれた少なくとも一種、TMはRe、-0.2<x<0.2、-0.2<y<0.2、-0.2<z<0.2、δは酸素欠損量)で示される複合ペロブスカイト酸化物を含むことを特徴とする磁気抵抗素子である。

請求項（抜粋）：

少なくとも磁性体膜を備えた磁気抵抗素子において、磁性体膜が実質的に一般式(1) A2+xtm′1+yTM′1+zO6-δ(AはCa,Sr,Baより選ばれた少なくとも一種、tm′は、Mn,Ni,Co,Cr,Mgより選ばれた少なくとも一種、TM′はRe、-0.2<x<0.2、-0.2<y<0.2、-0.2<z<0.2、δは酸素欠損量)で示される複合ペロブスカイト酸化物よりなることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 , H01F 10/32 , H01L 43/10

FI (3件)：

H01L 43/08 Z , H01F 10/08 A , H01L 43/10

Fターム (6件)：

5E049AB03 , 5E049AB09 , 5E049AB10 , 5E049AC00 , 5E049BA12 , 5E049BA16

引用特許：

審査官引用 (5件)

導電性酸化物薄膜、薄膜キャパシタおよび磁気抵抗効果素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-076078 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗薄膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-239901 出願人：住友金属工業株式会社
磁気抵抗効果素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-344861 出願人：日本電気株式会社, 富士電機株式会社, 三菱電機株式会社, 技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構, 工業技術院長

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引用文献：

審査官引用 (1件)

磁性体ハンドブック, 19750630, 初版, p.684

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