特許
J-GLOBAL ID：200903080292015380

光吸収層の作製方法および装置

発明者：
武内 伸介

武内 伸介 について

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久米 智之

久米 智之 について

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小丸 貴史

小丸 貴史 について


出願人/特許権者：
本田技研工業株式会社

本田技研工業株式会社 について


代理人 (1件)： 鳥井 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-127611
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282908
出願日： 2002年03月25日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体による薄膜太陽電池における裏面電極上にCu-Ga合金層およびIn層からなる積層プリカーサ膜を形成し、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製するに際して、光吸収層の結晶化の不良による密着性の低下に起因する太陽電池特性の劣化を防止して、品質の良い光吸収層を作製する。【構成】 裏面電極上にIn層を形成したうえで、その上にCu-Ga合金層を形成することにより積層プリカーサ膜を形成して、その積層プリカーサ膜をSe雰囲気中で熱処理したときに裏面電極との界面におけるGa濃度を下げて、Cu-In-Ga-Se化合物として組成の安定した光吸収層を作製するようにする。
請求項（抜粋）：
化合物半導体による薄膜太陽電池における裏面電極上にCu-Ga合金層およびIn層からなる積層プリカーサ膜を形成して、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製する方法にあって、裏面電極上にIn層を形成したうえで、その上にCu-Ga合金層を形成して積層プリカーサ膜を形成するようにしたことを特徴とする光吸収層の作製方法。
IPC (2件)：
H01L 31/04 ,  C23C 14/14
FI (2件)：
C23C 14/14 G ,  H01L 31/04 E
Fターム (20件)：
4K029BA10 ,  4K029BA21 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC04 ,  4K029GA01 ,  4K029KA09 ,  5F051AA09 ,  5F051BA14 ,  5F051BA17 ,  5F051CA32 ,  5F051CA36 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051GA03 ,  5F051HA20
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (1件)

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