特許
J-GLOBAL ID：200903020955124452

窒化物半導体素子の製造方法

発明者：
田村 聡之

田村 聡之 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (4件)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘 ,  笹原 敏司 ,  原田 洋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-257798
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142532
出願日： 2004年09月06日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】 デバイス特性に優れ、均一的に光を取り出すことのできる窒化物半導体素子を製造することを目的とする。 【解決手段】 母材基板201上に第1の窒化物半導体層202と第1の窒化物半導体層202よりもエッチレートの遅い第2の窒化物半導体層203を順に形成し、LLOにより母剤基板201を分離した後、第1の窒化物半導体層202をエッチング除去することにより、第2の窒化物半導体層203のエッチレートが第1の窒化物半導体層202よりも遅いので、平坦化された第2の窒化物半導体層表面を得ることができるため、デバイス特性に優れ、均一的に光を取り出すことのできる窒化物半導体素子を製造することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
母材基板上に窒化物半導体素子の基板領域を形成し、レーザリフトオフにより母材基板を分離する工程を有する窒化物半導体素子の製造方法であって、 前記母材基板上に少なくとも第1の窒化物半導体層および前記第1の窒化物半導体層よりもエッチレートの遅い第2の窒化物半導体層とを順に形成する第1の工程と、 前記母材基板側から前記第1の窒化物半導体層のエネルギーバンドギャップより大きいエネルギーを有するレーザを照射することにより前記母材基板と前記第1の窒化物半導体層とを分離する第2の工程と、 前記第1の窒化物半導体層をエッチング除去する第3の工程と を有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01S5/183 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323
FI (3件)：
H01S5/183 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
Fターム (32件)：
5F041AA03 ,  5F041AA05 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F173AC03 ,  5F173AC04 ,  5F173AC13 ,  5F173AC14 ,  5F173AC36 ,  5F173AC52 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AH47 ,  5F173AH48 ,  5F173AH49 ,  5F173AK08 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP62 ,  5F173AP64 ,  5F173AQ02 ,  5F173AQ03 ,  5F173AQ05 ,  5F173AR52 ,  5F173AR72 ,  5F173AR84
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM