半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-080229
公開番号（公開出願番号）：特開2003-283052
出願日： 2002年03月22日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 III-V族窒化物半導体を用いた半導体装置を、活性領域の露出面にダメージを与えることなく、電流狭窄部を形成できるようにする。【解決手段】 n型のIII-V族窒化物半導体からなる第1半導体層11と、p型のIII-V族窒化物半導体からなる第2半導体層13との間に、III-V族窒化物半導体からなる発光層12が形成されている。第2半導体層13における両側部には、発光層12が形成する面と平行な方向に互いに間隔をおいた酸化領域13aが、該第2半導体層13自体が酸化されて形成されている。第2半導体層13の上には酸化領域13aを含む全面にp側電極14が形成されており、第1半導体層11における第2半導体層13の反対側の面上にはn側電極15が形成されている。

請求項（抜粋）：

活性領域を含む第1導電型の第1半導体層及び第2導電型の第2半導体層を備え、前記第1半導体層及び第2半導体層のうちの少なくとも一方は、前記活性領域が形成する面と平行な方向に互いに間隔をおき、且つ前記第1半導体層又は第2半導体層自体が酸化されてなる酸化領域を有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01S 5/22 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (3件)：

H01S 5/22 , H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

Fターム (17件)：

5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F041CA98 , 5F073AA09 , 5F073AA13 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073DA27 , 5F073DA30 , 5F073DA35 , 5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (20件)

半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-021882 出願人：古河電気工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-189930 出願人：株式会社東芝
特開平1-115186

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