特許
J-GLOBAL ID：200903020966526021

暗信号を減少させることのできるイメージセンサ及びそのイメージセンサの素子分離方法

発明者：
林 栽 ヨン

林 栽 ヨン について

, 
高 壕 淳

高 壕 淳 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-194527
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183920
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】暗信号を減少させるための素子分離が適用されたイメージセンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】ロジック部と複数のフォトダイオードを有する受光部とからなるイメージセンサにおいて、前記受光部に隣接するフォトダイオード間の領域は、半導体基板表面の下部に形成されたフィールドイオン注入領域20と前記半導体基板の上部に形成された絶縁膜30とによって前記フォトダイオードが分離されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ロジック部と複数のフォトダイオードを有する受光部とからなるイメージセンサにおいて、 前記受光部に隣接するフォトダイオード間の領域は、半導体基板表面の下部に形成されたフィールドイオン注入領域と前記半導体基板の上部に形成された絶縁膜とによって前記フォトダイオードが分離されていることを特徴とする暗信号を減少させることのできるイメージセンサ。
IPC (4件)：
H01L27/146 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H04N5/335
FI (6件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 R ,  H01L21/76 S ,  H01L21/76 L ,  H01L21/94 A
Fターム (36件)：
4M108AB03 ,  4M108AB14 ,  4M108AB36 ,  4M108AC39 ,  4M108AC42 ,  4M108AC50 ,  4M108AD11 ,  4M108AD13 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01 ,  5F032AA03 ,  5F032AA13 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AC01 ,  5F032BB01 ,  5F032CA03 ,  5F032CA15 ,  5F032CA17 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25 ,  5F032DA30 ,  5F032DA53
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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