特許
J-GLOBAL ID:200903021001289368
半導体基板の分断装置及び半導体基板の分断方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
田下 明人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-331214
公開番号(公開出願番号):特開2007-141997
出願日: 2005年11月16日
公開日(公表日): 2007年06月07日
要約:
【課題】 半導体基板の基板面に付着した付着物を、製品に悪影響を及ぼすことなく、効率的に除去することができる半導体基板の分断装置及び分断方法を実現する。【解決手段】 付着物除去装置40は、静電気力により粉塵22を吸着する吸着部材41と、吸着部材41と電気的に接続され、吸着部材41に電圧を印加することにより、吸着部材41に静電気を誘起し、静電気力を発生させる静電気発生装置42とを備えている。まず、吸着部材41を、分断された半導体基板21の基板面21aから所定の距離だけ離れた上方に配置する。次に、静電気発生装置42により、吸着部材41に電圧を印加して、吸着部材41に静電気を誘起し、静電気力を発生させると、半導体基板21の基板面21aに付着していた粉塵22が静電気力によって上方に引き上げられて吸着部材41に吸着し、基板面21aから除去される。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
半導体基板をその厚さ方向に分断するための分断予定ラインに沿って分断して半導体チップを得る分断手段を備えた半導体基板の分断装置において、
前記半導体基板の基板面に付着した付着物を静電気力により吸着する吸着手段と、この吸着手段に静電気を誘起し、静電気力の大きさを制御する静電気発生手段とを備えた付着物除去手段が設けられていることを特徴とする半導体基板の分断装置。
IPC (1件):
FI (2件):
H01L21/78 A
, H01L21/78 B
引用特許:
出願人引用 (3件)
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レーザ加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-277163
出願人:浜松ホトニクス株式会社
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レーザ加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-099258
出願人:浜松ホトニクス株式会社
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レーザ加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-099281
出願人:浜松ホトニクス株式会社
審査官引用 (9件)
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特開昭53-108276
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顕微鏡付レーザ加工装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-328927
出願人:ソニー株式会社
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レーザ加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-099258
出願人:浜松ホトニクス株式会社
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