特許
J-GLOBAL ID：200903021302028691

薄膜半導体装置の製造方法、薄膜半導体装置、表示装置の製造方法、および表示装置

発明者：
浅野 明彦

浅野 明彦 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-370128
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136138
出願日： 2003年10月30日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】半導体薄膜の結晶粒径の大粒径化を図ることができ、これにより特性の向上を図ることが可能な低温ポリシリコン技術を用いた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板1上のゲート配線2を覆う状態でゲート絶縁膜3を介して半導体薄膜4を形成する。レーザー光照射によって、半導体薄膜4を加熱すると共に、半導体薄膜4と同程度以上の温度となるようにゲート配線2を加熱して半導体薄膜4を結晶化させる。レーザー光は、半導体薄膜4側から520nm〜540nmの波長範囲で、パルス発振により照射される。ゲート配線2は高融点金属で形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光吸収層を有する基板上に半導体薄膜を形成する工程と、 レーザー光照射によって、前記半導体薄膜を加熱すると共に当該半導体薄膜と同程度以上の温度となるように前記光吸収層を加熱して当該半導体薄膜を結晶化させる工程とを行う ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786
FI (5件)：
H01L29/78 627G ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 618Z
Fターム (71件)：
2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092KA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA30 ,  2H092PA09 ,  5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BB03 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB05 ,  5F052DB07 ,  5F052EA12 ,  5F052EA13 ,  5F052EA15 ,  5F052FA01 ,  5F052JA02 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP11 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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