薄膜半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：上柳雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-101156
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367905
出願日： 2002年04月03日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】基板上に形成された薄膜半導体装置の製造方法において、半導体膜が結晶性の良い大粒径の結晶粒から成り、チャネル形成領域の結晶粒界の位置が制御されており、電気特性が良く、短チャネル効果を抑制することができ、電気特性ばらつきの少ない薄膜半導体装置を製造する方法を提供する。【解決手段】石英基板211上に、下地保護膜212を形成し、下側導電膜213を形成し、下側絶縁膜216を形成し、活性半導体膜217を形成する。次に活性半導体膜側からYAG2ωレーザー218を照射して、活性半導体膜217の結晶を横方向に成長させる。その後、上側絶縁膜223を形成し、下側導電膜213と上側導電膜とのコンタクト・ホールを形成し、上側導電膜225を形成し、ソース領域217aとチャネル形成領域217bとドレイン領域217cを形成し、層間絶縁膜226を形成し、コンタクト・ホール227、228を形成し、ソース電極229とドレイン電極230を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された半導体膜の一部を活性領域として用いる薄膜半導体装置の製造方法において、前記半導体膜の一部を局所的に加熱する局所加熱機構を前記基板上に形成する加熱機構形成工程を有し、前記加熱機構形成工程が基板上に下側導電膜を形成する下側導電膜形成工程と、該下側導電膜を所定の形状に加工する下側導電膜加工工程と、該下側導電膜上に下側絶縁膜を形成する下側絶縁膜形成工程から成り、前記加熱機構形成工程後に行われ、前記半導体膜としての活性半導体膜を形成する活性半導体膜形成工程と、前記局所加熱機構により前記活性半導体膜が局所的に加熱された状態にて前記活性半導体膜を溶融結晶化させる結晶化工程と、前記活性半導体膜を島状に加工して半導体装置活性領域を形成する素子分離工程と、該活性半導体膜上に上側絶縁膜を形成する上側絶縁膜形成工程と、該上側絶縁膜上に上側導電膜を形成する上側導電膜形成工程と、該上側導電膜を所定の形状に加工する上側導電膜加工工程、とを含む事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/28 301 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/28 301 R , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 617 N

Fターム (62件)：

4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB32 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104FF01 , 4M104FF18 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052AA17 , 5F052BB02 , 5F052BB03 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052EA11 , 5F052EA13 , 5F052FA19 , 5F052HA01 , 5F052JA01 , 5F052JA03 , 5F110AA01 , 5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110BB10 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE30 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF31 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG47 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL23 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP10 , 5F110PP11 , 5F110PP13 , 5F110PP23 , 5F110PP29 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開昭62-098774
薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-328106 出願人：シャープ株式会社
薄膜半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-094350 出願人：セイコーエプソン株式会社, 三菱電機株式会社

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