特許
J-GLOBAL ID:200903021404559721

半導体レーザ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 河村 洌
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-231684
公開番号(公開出願番号):特開2007-048938
出願日: 2005年08月10日
公開日(公表日): 2007年02月22日
要約:
【課題】 半導体レーザ素子をキャップで気密封止をしながら、またはオープン構造でも半導体レーザ素子近傍を外力から保護しながら、半導体レーザ素子で発生する熱を効率よく放散させることができる構造の半導体レーザを提供する。【解決手段】 平面形状がほぼ円形のベース11にそれぞれ絶縁体16を介して2本のリード13、15が固定され、そのベース11の一面側にヒートシンク12が設けられることによりステム1が形成されている。このヒートシンク12に、たとえばサブマウント3を介して半導体レーザ素子2が固着され、その半導体レーザ素子2を被覆するように、円筒状のキャップ5または保護容器がベース11上に被せられている。このキャップ5または保護容器とベース11とが共に主として銅を含む材料により形成され、両者が接合されている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
平面形状がほぼ円形のベース、該ベースに絶縁体を介して固定される少なくとも1本のリード、および該ベースの一面側に設けられるヒートシンクからなるステムと、前記ヒートシンクに固着される半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子を被覆するように前記ベース上に被せられ、前記半導体レーザ素子からの出射光を透過させるように窓部材が気密封止された蓋付き円筒状のキャップとを具備する半導体レーザであって、前記ベースおよびキャップが共に主として銅を含む材料からなり、前記ベースおよびキャップが気密に封止されてなる半導体レーザ。
IPC (1件):
H01S 5/022
FI (1件):
H01S5/022
Fターム (13件):
5F173MA05 ,  5F173MB01 ,  5F173MC12 ,  5F173MC30 ,  5F173MD05 ,  5F173MD07 ,  5F173ME03 ,  5F173ME12 ,  5F173ME15 ,  5F173ME22 ,  5F173ME33 ,  5F173ME65 ,  5F173ME86
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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