電流センスアンプ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-057576
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250391
出願日： 2000年03月02日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】不揮発性半導体記憶装置に使用される電流センスアンプ回路において、動作電源電圧範囲を広くし、また、多状態に記録されたメモリセルの電流を検知することを目的とする。【解決手段】メモリセルの特性に沿った参照電流を生成する参照電流発生部と電流比較部を設け、メモリセルの電流と参照電流とを電流比較部で比較する構成により動作電源電圧範囲を広くし、また、多状態に記録されたメモリセルの電流検知を可能とするために、それぞれ参照電流量の異なる参照電流発生部と電流比較部の組を複数設置し、それぞれの組で異なった電流量の検知を行う。

請求項（抜粋）：

メモリセルアレイのビット線が、選択トランジスタを介して結合されるデータ線に接続された電流センスアンプ回路において、前記データ線の電圧を受ける反転増幅回路と、前記反転増幅回路の出力を制御ノードに接続し、前記データ線に接続された第1のN型MOSトランジスタと、ソースを電源電位に接続し、ゲートとドレインを接続し、前記第1のN型MOSトランジスタに結合された第1のP型MOSトランジスタと、ソースを電源電位に接続し、ゲートを前記第1のP型MOSトランジスタのゲートに接続した第2のP型MOSトランジスタと、ソースを接地電位に接続し、ドレインを前記第2のP型MOSトランジスタのドレインに接続した第2のN型MOSトランジスタと、ソースを接地電位に接続し、ゲートとドレインを前記第2のN型MOSトランジスタのゲートに接続した第3のN型MOSトランジスタと、ソースを電源電位に接続し、ドレインを前記第3のN型MOSトランジスタのドレインに接続した第3のP型MOSトランジスタと、入力端を前記第2のN型MOSトランジスタのドレインに接続し、出力端を回路の出力端としたインバータと、前記第3のP型MOSトランジスタのドレイン電流が所定の参照電流量となるように前記第3のP型MOSトランジスタのゲートに電圧を与える参照電流発生部とを備え、前記参照電流量と前記データ線の電流量を比較することで前記データ線を流れるメモリセルの電流を検知する、ことを特徴とする電流センスアンプ回路。

IPC (2件)：

G11C 16/06 , H03K 19/0944

FI (3件)：

G11C 17/00 634 D , G11C 17/00 634 E , H03K 19/094 A

Fターム (14件)：

5B025AA03 , 5B025AC01 , 5B025AD06 , 5B025AE00 , 5B025AE07 , 5J056AA00 , 5J056BB40 , 5J056CC02 , 5J056DD13 , 5J056DD28 , 5J056FF07 , 5J056FF08 , 5J056GG05 , 5J056HH04

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-285598
特開平4-149898
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-186438 出願人：株式会社東芝

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