特許
J-GLOBAL ID：200903021459019513

化合物半導体発光素子ウェハーの製造方法

発明者：
楠木 克輝

楠木 克輝 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  小林 良博 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-121297
公開番号（公開出願番号）：特開2005-333122
出願日： 2005年04月19日
公開日（公表日）： 2005年12月02日
要約：
【課題】 化合物半導体発光素子ウェハーの表面に汚れが付着していない高品質な化合物半導体ウェハーの製造方法を提供すること。【解決手段】 基板上に多数の化合物半導体発光素子が分離帯域を介して規則的に且つ連続的に配列された化合物半導体発光素子ウェハーの表面(半導体側)および/または背面に保護膜を形成する工程、保護膜が形成された面の分離帯域にレーザー法でレーザー照射部にガスを噴きつけつつ割溝を形成する工程、および該保護膜の少なくとも一部を除去する工程をこの順序で含むことを特徴とする化合物半導体発光素子ウェハーの製造方法。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に多数の化合物半導体発光素子が分離帯域を介して規則的に且つ連続的に配列された化合物半導体発光素子ウェハーの表面(半導体側)および/または背面に保護膜を形成する工程、保護膜が形成された面の分離帯域にレーザー法でレーザー照射部にガスを噴きつけつつ割溝を形成する工程、該保護膜の少なくとも一部を除去する工程をこの順序で含むことを特徴とする化合物半導体発光素子ウェハーの製造方法。
IPC (4件)：
H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  B23K26/14 ,  B23K26/18
FI (6件)：
H01L21/78 Q ,  B23K26/00 D ,  B23K26/14 A ,  B23K26/18 ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 S
Fターム (12件)：
4E068AA01 ,  4E068AD01 ,  4E068CA09 ,  4E068CA11 ,  4E068CA17 ,  4E068CF03 ,  4E068CG01 ,  4E068CG02 ,  4E068CH08 ,  4E068CJ01 ,  4E068CJ04 ,  4E068DA10
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (7件)
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