特許
J-GLOBAL ID：200903021472492953
電気的に書込み・消去可能な不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-079850
公開番号（公開出願番号）：特開平8-249900
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】ワード線方向冗長を搭載する場合、使用されない部分の過消去による製品の誤動作を防ぐと共に歩留の低下も回避するような電気的に書込み・消去可能な不揮発性半導体記憶装置の提供。【構成】消去動作(ステップ102)の後に、製品として通常使用されない部分への書込み(ステップ104)と、場合によってはその領域に含まれる全てのメモリセルトランジスタのしきい値電圧がある設定値以上であるか否かをチェックするベリファイ動作(ステップ105)を組合わて行ない、通常使用されない部分のメモリセルトランジスタがディプレッションになり正常動作を妨げることを回避する。
請求項（抜粋）：
電気的に書換え可能なメモリセルトランジスタから構成される複数のメモリセルと、前記メモリセルトランジスタから構成される複数の冗長用メモリセルと、を具備し、前記複数のメモリセルに対して不良が検出された際に前記複数のメモリセルの不良部分を前記複数の冗長用メモリセルに置換する機能を有する、電気的に書込み・消去可能な不揮発性半導体記憶装置において、消去動作前の事前書込みは、前記複数のメモリセルと前記複数の冗長用メモリセルのうち、製品として通常使用される部分の全てに対してのみ行ない、それに引き続いて消去動作を行なった後に、前記複数のメモリセルと前記複数の冗長用メモリセルのうち、製品として通常使用されない部分の全てに対して消去後書込みを行なうことを特徴とする電気的に書込み・消去可能な不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 29/00 301
, G11C 16/06
G11C 29/00 301 B
, G11C 17/00 309 F
, G11C 17/00 510 A
