特許
J-GLOBAL ID：200903021511144747

多結晶シリコン膜の水素化処理方法および薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
田中 淳

田中 淳 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-310207
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127068
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 工程の複雑化、処理時間の増大等の問題を解決し得る多結晶シリコン膜の水素化処理方法を提供する。【解決手段】 本発明の多結晶シリコン膜の水素化処理方法は、プラズマCVD装置のチャンバー20内をクリーニングする工程と、同チャンバー20の内壁にシーズニング膜22を堆積させる工程と、チャンバー20内に多結晶シリコン膜が形成された基板Wを導入し、基板Wに水素プラズマ処理を施す工程とを有する。
請求項（抜粋）：
チャンバーの内壁にシーズニング膜が堆積したプラズマCVD装置を用いて多結晶シリコン膜の水素プラズマ処理を行うことを特徴とする多結晶シリコン膜の水素化処理方法。
IPC (8件)：
H01L 21/324 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (7件)：
H01L 21/324 P ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/322 Z ,  H01L 29/78 627 E
Fターム (50件)：
4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB03 ,  4K030CA00 ,  4K030CA04 ,  4K030DA08 ,  4K030JA06 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045BB16 ,  5F045CB04 ,  5F045CB05 ,  5F045EB06 ,  5F045EB11 ,  5F045EC05 ,  5F045EH13 ,  5F045HA15 ,  5F045HA16 ,  5F045HA23 ,  5F110AA19 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110QQ21 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ30
引用特許：
審査官引用 (5件)
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