特許
J-GLOBAL ID：200903071569965314
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-259997
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068760
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】小型化を図ることができる炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】n型のSiC基板1の上に、エピタキシャル層よりなるn-ドリフト層2と、エピタキシャル層よりなるp型の第1のゲート層3と、エピタキシャル層よりなるn型のソース層4とが順に積層され、トレンチ5の内壁にエピタキシャル層よりなるn型のチャネル層6が形成されるとともにその内方にp型の第2のゲート層7が形成されている。セル外周側においてドリフト層2が露出し、ドリフト層2の上面にショットキー電極12が配置されるとともにショットキー電極12の下のドリフト層2の表層部にp型の不純物領域13が形成されている。
請求項（抜粋）：
高濃度の第1導電型のSiC基板(1)の上に、エピタキシャル層よりなる低濃度な第1導電型のドリフト層(2)と、エピタキシャル層よりなる第2導電型の第1のゲート層(3)と、エピタキシャル層よりなる第1導電型のソース層(4)とが順に積層されるとともに、前記ソース層(4)と第1のゲート層(3)とを貫通してドリフト層(2)に達するトレンチ(5)が形成され、さらに、このトレンチ(5)の内壁にエピタキシャル層よりなる第1導電型のチャネル層(6)が形成されるとともにその内方に第2導電型の第2のゲート層(7)を形成した炭化珪素半導体装置において、前記トレンチ(5)を形成したセル部の外周側において前記ドリフト層(2)を露出させ、露出させたドリフト層(2)の上面にショットキー電極(12)を配置するとともに当該ショットキー電極(12)の下のドリフト層(2)の表層部に第2導電型の不純物領域(13)を形成して、ジャンクションバリア・コントロールド・ショットキー構造のボディダイオードとしたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 21/337
, H01L 21/06
, H01L 21/329
, H01L 21/338
, H01L 21/8232
, H01L 29/808
, H01L 29/812
, H01L 29/861
, H01L 29/872
H01L 29/80 C
, H01L 29/80 P
, H01L 29/91 B
, H01L 29/91 D
, H01L 27/06 F
, H01L 29/48 D
4M104AA03
, 4M104BB01
, 4M104BB05
, 4M104BB14
, 4M104BB18
, 4M104BB40
, 4M104CC03
, 4M104GG03
, 5F102FA00
, 5F102FA01
, 5F102GA14
, 5F102GB05
, 5F102GC01
, 5F102GC08
, 5F102GD04
, 5F102GJ02
, 5F102GR07
, 5F102GV05
, 5F102HC01
, 5F102HC16
, 5F102HC21
