固体撮像素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛 , 矢澤清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-140570
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311647
出願日： 2006年05月19日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：

【課題】有機光電変換層を一対の電極で挟んだ構成の光電変換素子を有する固体撮像素子において、低いバイアス電圧でも良好な撮像を行うことが可能な固体撮像素子を提供する。【解決手段】半導体基板上方に形成された下部電極と、前記下部電極上方に形成された上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に形成された有機光電変換層を含む中間層とを有する光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した信号電荷に応じた信号を外部に読み出す信号読み出し部とを備える固体撮像素子であって、前記下部電極と前記上部電極間に0.1V以上3V以下のバイアス電圧を印加して撮像を行った場合に、前記有機光電変換層で吸収する光の波長域での外部量子効率が1%以上となる固体撮像素子。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体基板上方に形成された下部電極と、前記下部電極上方に形成された上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に形成された有機光電変換層を含む中間層とを有する光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した信号電荷に応じた信号を外部に読み出す信号読み出し部とを備える固体撮像素子であって、前記下部電極と前記上部電極間に0.1V以上3V以下のバイアス電圧を印加して撮像を行った場合に、前記有機光電変換層で吸収する光の波長域での外部量子効率が1%以上となる固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/146 , H01L 27/14 , H01L 31/10

FI (4件)：

H01L27/14 E , H01L27/14 D , H01L31/10 A , H01L31/10 D

Fターム (31件)：

4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118BA07 , 4M118BA08 , 4M118CA03 , 4M118CA04 , 4M118CA05 , 4M118CA06 , 4M118CA32 , 4M118CB01 , 4M118CB02 , 4M118CB06 , 4M118CB14 , 4M118CB20 , 4M118EA01 , 4M118GB02 , 4M118GC08 , 5F049MA02 , 5F049MB08 , 5F049NA20 , 5F049NB03 , 5F049NB05 , 5F049QA07 , 5F049RA08 , 5F049SE04 , 5F049SS03 , 5F049TA03 , 5F049TA06 , 5F049TA08 , 5F049UA14

引用特許：

出願人引用 (4件)

米国特許第5965875号明細書
米国特許第6632701号明細書
受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-202885 出願人：ソニー株式会社

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審査官引用 (9件)

光電変換素子及び撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-081555 出願人：富士写真フイルム株式会社
アモルファス分子材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-159569 出願人：住友電気工業株式会社
有機太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-074305 出願人：金沢大学長, 株式会社日本触媒

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