特許
J-GLOBAL ID:200903021805877840
レーザーダイオードのパッケージング
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
社本 一夫 (外5名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-608485
公開番号(公開出願番号):特表2002-540640
出願日: 2000年03月29日
公開日(公表日): 2002年11月26日
要約:
【要約】【課題】 ヒートシンク、レーザーダイオード、及び非導電性(即ち絶縁性)基材を含むレーザーダイオードパッケージを提供する。【解決手段】 レーザーダイオード(14)は、放射面(24)及びこの放射面とは反対側の反射面(26)を有する。レーザーダイオードは、放射面と反射面との間に第1及び第2の側面を更に有する。ヒートシンク(12)は、上面及び下面を有する。レーザーダイオードの第1側面は、上面と隣接してヒートシンクに取り付けられる。基材(16)は、ヒートシンクの下面に取り付けられる。ヒートシンクは、銅等の熱伝導性金属で形成されており、基材は、好ましくは、ガリウム砒素から形成される。基材は、レーザーダイオードバーと同様にヒートシンクにはんだ付けされる。ヒートシンクの下端に基材が設けられているため、各個々のレーザーダイオードパッケージは、それ自体、電気的に絶縁されている。幾つかのパッケージを互いに取り付けてレーザーダイオードアレイ(30)を形成することを容易に行うことができる。
請求項(抜粋):
レーザーダイオードパッケージにおいて、 放射面及びこの放射面とは反対側の反射面、及び前記放射面と前記反射面との間の第1及び第2の側面を有するレーザーダイオード、 上面及び下面を持ち、前記レーザーダイオードの前記第1側面が前記上面と隣接して取り付けられたヒートシンク、及び 主にガリウム砒素で形成されており、前記ヒートシンクの前記下面に取り付けられた基材を含む、レーザーダイオードパッケージ。
Fターム (4件):
5F073AB02
, 5F073AB27
, 5F073FA14
, 5F073FA22
引用特許:
審査官引用 (12件)
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レーザーダイオードパッケージ体及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-112910
出願人:カッティング・エッジ・オプトロニックス・インコーポレーテッド
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-092582
出願人:株式会社日立製作所
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半導体レーザ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-064603
出願人:三菱電機株式会社
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