特許
J-GLOBAL ID：200903021952636351
窒化物基板の製造方法と窒化物基板及び窒化物系半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-008287
公開番号（公開出願番号）：特開2007-191321
出願日： 2006年01月17日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：
【課題】 低欠陥単結晶領域Zの幅zが2000μm〜10000μmの広い窒化物半導体基板を製造すること。 【解決手段】 下地基板Uの上に、幅が20μm〜400μmの被覆部Sを一定ピッチ2020μm〜10300μmで平行等間隔に持つマスクを形成し、反応炉にマスク付き下地基板Uを装入、加熱し、分圧が(1.5+0.0005p)kPa〜(4+0.0005p)kPaであるようなHClと、分圧が(15-0.0009p)〜(26-0.0017p)kPaであるようNH3を供給して反応させマスク付き下地基板Uの上にAlxGayIn1-x-yN結晶(0≦x<1、0<y≦1)を成長させ、被覆部Sに底を、露呈部Eの中間部に頂上を持つ平行のファセット面Fからなる複数の山谷構造を形成し、被覆部Sの直上部分は結晶欠陥集合領域Hに、露呈部Eの上ファセット面F直下は低欠陥単結晶領域Zとなるようにする。【選択図】 図16
請求項（抜粋）：
少なくとも三回対称性を持つ下地基板Uの上に、幅がs=20μm〜400μmである被覆部Sと幅が2,000μm〜10000μmである露呈部Eを一定ピッチp=2020μm〜10300μmで平行等間隔に有するマスクを形成し、被覆部Sによって挟まれる露呈部Eは完全露呈部或いは複数の窓を有し一部露呈、一部被膜とするものであって、Gaボート、Inボート、Alボートを有する反応炉にマスク付き下基板Uを装入し、マスク付き下地基板Uを温度850°C〜1100°Cに加熱し、HCl分圧PHClが(1.5+0.0005p)kPa≦PHCl≦(4+0.0005p)kPaであるようHClを供給して、GaCl、InCl、AlCl3を生成し、NH3分圧PNH3が(15-0.0009p)kPa≦PNH3≦(26-0.0017p)kPaであるようNH3を供給しGaCl、InCl、AlCl3と反応させマスク付き下地基板Uの上にAlxGayIn1-x-yN結晶(0≦x<1、0<y≦1)を成長させ、被覆部Sに底を持ち露呈部Eの中間部に頂上を持つ平行のファセット面Fからなる複数の山谷構造を形成し、被覆部Sの直上に当たる部分は転位Lが集結した結晶欠陥集合領域Hとなり、露呈部Eの上でファセット面Fの直下は低欠陥単結晶領域Zとなり、ファセット面Fからなる山谷構造を埋め込まないようにし、谷の下地基板境界からの高さが2.5(p-s)を越えるように成長させることを特徴とする窒化物基板の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38
, C30B 25/04
, C23C 16/34
C30B29/38 D
, C30B25/04
, C23C16/34
4G077AA03
, 4G077AB06
, 4G077BE11
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077EE07
, 4G077FG13
, 4G077FJ03
, 4G077HA02
, 4G077HA05
, 4G077TB05
, 4G077TC16
, 4G077TK11
, 4K030AA03
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030BA08
, 4K030BA11
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030LA14
, 5F152LL03
, 5F152LN03
, 5F152LN27
, 5F152LN29
, 5F152LN32
, 5F152LN35
, 5F152MM01
, 5F152MM02
, 5F152MM03
, 5F152MM05
, 5F152MM07
, 5F152MM09
, 5F152MM10
, 5F152MM11
, 5F152NN13
, 5F152NN27
, 5F152NP11
, 5F152NP12
, 5F152NP13
, 5F152NP14
, 5F152NP29
, 5F152NQ09
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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