特許
J-GLOBAL ID：200903022047050994

記憶素子及び回路素子

発明者：
伊藤 大輔

伊藤 大輔 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-018670
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210525
出願日： 2005年01月26日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
【課題】 強誘電体ゲートFETにおける、強誘電体にかかる反電場を抑制することにより、強誘電体ゲートFETを備え、良好な記憶保持特性を有する記憶素子を提供する。【解決手段】 極薄い半導体薄膜1によりチャネルを、強誘電体2によりゲート絶縁膜をそれぞれ構成した電界効果トランジスタ10から成り、強誘電体2の分極状態により情報を保持し、電界効果トランジスタ10に電場が印加されることにより、強誘電体2の分極状態が変化して情報の記録が行われ、極薄い半導体薄膜1の厚さが電子閉じ込め効果が発現する厚さである記憶素子を構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
極薄い半導体薄膜によりチャネルを構成し、強誘電体によりゲート絶縁膜を構成する、電界効果トランジスタから成り、 前記強誘電体の分極状態により情報を保持する記憶素子であって、 前記電界効果トランジスタに電場が印加されることにより、前記強誘電体の分極状態が変化して情報の記録が行われ、 前記極薄い半導体薄膜の厚さが、電子閉じ込め効果が発現する厚さである ことを特徴とする記憶素子。
IPC (4件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788
FI (2件)：
H01L27/10 444A ,  H01L29/78 371
Fターム (12件)：
5F083FR05 ,  5F083GA21 ,  5F083HA02 ,  5F083HA10 ,  5F083JA01 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F101BA62 ,  5F101BD12 ,  5F101BD13
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • FET素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-298965   出願人：三菱化成株式会社
  • 強誘電体FET素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-073857   出願人：三菱化学株式会社
審査官引用 (4件)
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