特許
J-GLOBAL ID：200903086148599766

固体電子装置

発明者：
▲徳▼光 永輔

▲徳▼光 永輔 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東京工業大学

国立大学法人東京工業大学 について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  鶴田 準一 ,  島田 哲郎 ,  倉地 保幸 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-039208
公開番号（公開出願番号）：特開2006-121029
出願日： 2005年02月16日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】 従来、例えば、ゲート絶縁膜としてSiO2を使用したMOSFETは、その絶縁耐圧によってゲート絶縁膜に誘起できる電荷量が制限され、低い駆動電圧で大きな電流を制御することが困難であった。【解決手段】 制御電圧が印加されるゲート電極3と、該制御電圧によって導通状態が制御されるソース電極4およびドレイン電極5とを有する固体電子装置であって、前記ソース電極および前記ドレイン電極間にチャネルを生成するチャネル層1と、前記ゲート電極および前記チャネル層の間に設けられ、等価的な比誘電率が大きい誘電体材料で構成されたゲート絶縁膜2と、を備えるように構成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
制御電圧が印加されるゲート電極と、該制御電圧によって導通状態が制御されるソース電極およびドレイン電極とを有する固体電子装置であって、 前記ソース電極および前記ドレイン電極間にチャネルを生成するチャネル層と、 前記ゲート電極および前記チャネル層の間に設けられ、等価的な比誘電率が大きい誘電体材料で構成されたゲート絶縁膜と、を備えることを特徴とする固体電子装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788
FI (5件)：
H01L29/78 618B ,  H01L27/10 444A ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 613B
Fターム (46件)：
5F083FR05 ,  5F083HA02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA44 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F101BA62 ,  5F101BB02 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BE07 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110BB08 ,  5F110BB12 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-508258   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
  • トランジスタ及び半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-326889   出願人：科学技術振興事業団
審査官引用 (5件)
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