特許
J-GLOBAL ID:200903022132374022

マスク装置、成膜装置、搬送装置及び成膜条件決定方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-125932
公開番号(公開出願番号):特開平10-321524
出願日: 1997年05月15日
公開日(公表日): 1998年12月04日
要約:
【要約】【課題】 ウェハに対して微細なマスキングを再現性よく行うことのできるマスク装置を提供すること。【解決手段】 本発明は、成膜処理を行う処理チャンバ10と、この処理チャンバ内で非成膜処理時には下降され、成膜処理時には上昇される基板支持体12とを有するCVD装置に用いられるマスク装置であって、基板支持体上に支持されたウェハWの外周部分の上方を覆うためのシャドウリング48と、非成膜処理時にシャドウリングを処理チャンバ内の所定の位置に配置する位置決め手段とを備えること特徴としている。この構成では、シャドウリングが常に処理チャンバに、ひいては基板支持体に対して一定の位置に維持される。従って、シャドウリングは基板支持体上の基板に対して一定の位置に高精度に配置され、マスク幅が変動することがなくなる。
請求項(抜粋):
成膜処理を行う処理チャンバと、前記処理チャンバ内で非成膜処理時には下降され、成膜処理時には上昇される基板支持体とを有する成膜装置において、前記基板支持体上に支持された基板の外周部分の成膜を抑制するマスク装置であって、前記基板の前記外周部分の上方を覆うためのシャドウリングと、非成膜処理時に前記シャドウリングを前記処理チャンバに対して一定の位置に配置する位置決め手段と、を備える、マスク装置。
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 真空蒸着装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-009077   出願人:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
  • 基板処理方法及びCVD処理方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-250965   出願人:アネルバ株式会社
  • 被処理物の真空処理方法及び装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-182301   出願人:日新電機株式会社
全件表示
審査官引用 (7件)
  • 真空蒸着装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-009077   出願人:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
  • 基板処理方法及びCVD処理方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-250965   出願人:アネルバ株式会社
  • 被処理物の真空処理方法及び装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-182301   出願人:日新電機株式会社
全件表示

前のページに戻る