特許
J-GLOBAL ID：200903022173119800
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-346557
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243095
出願日： 1999年12月06日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】複数のメモリセルを順次選択してデータ書き込みを行う際、任意の温度条件で書き込みに必要な時間を短縮できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】NOR型フラッシュメモリにおいて、メモリセルアレイ1内の複数のメモリセルを順次選択してデータの書き込みを行う際、複数のメモリセルを第1のグループと第2のグループに分ける。まず、書込制御部10によりセルヘの印加電圧、電圧印加時間を第1の書き込み条件に設定し、第1のグループのメモリセルを順次選択してそれぞれ書き込みとべリファイを行う。次に、書込制御部10により第1のグループのメモリセル全体の書き込みに要した時間に応じてセルヘの印加電圧、電圧印加時間を変更した第2の書き込み条件に設定し、この条件にて第2のグループのメモリセルを順次選択して書き込みを行う。
請求項（抜粋）：
複数の不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイ内のメモリセルに対するデータの読み出し、書き込み、消去の各動作に応じて、選択されたメモリセルに供給する印加電圧及び印加時間を制御する書込制御部とを具備し、前記書込制御部は、前記メモリセルアレイ内の前記所定個のメモリセルに対して第1の書き込み条件で書き込みを行い、前記所定個のメモリセル以外のメモリセルに対しては、前記第1の書き込み条件で書き込みを行った結果に応じて設定された第2の書き込み条件で書き込みを行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C 17/00 611 E
, G11C 17/00 611 G
, G11C 17/00 622 A
