特許
J-GLOBAL ID：200903022214896930

固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法

発明者：
渡邉 高典

渡邉 高典 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 山下 穣平 ,  志村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-137440
公開番号（公開出願番号）：特開2004-342836
出願日： 2003年05月15日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：
【課題】低電源電圧化が可能であり、低消費電力で、かつ、SN比の良好な固体撮像素子とする。【解決手段】半導体基板上に形成されたPウェル102、Pウェル中に形成されたフォトダイオード、フォトダイオード内に蓄積された光電荷を転送するための転送ゲート105、および転送された光電荷を受け取る拡散接合容量部106を画素内に有し、フォトダイオードは、第1蓄積領域109と、第1蓄積領域より高濃度で、より深く形成された第2蓄積領域108とを備え、第1蓄積領域109は転送ゲート105の端部において転送ゲート側に向かって延在しており、第2蓄積領域108は転送ゲートの端部において転送ゲート側に向かって延在していない。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1導電型の半導体領域、前記半導体領域中に形成されたフォトダイオード、前記フォトダイオード内に蓄積された光電荷を転送するための転送ゲート、および転送された光電荷を受け取る拡散接合容量部を画素内に有する固体撮像素子において、 前記フォトダイオードは、第2導電型の半導体からなる第1蓄積領域と、前記第1蓄積領域と接し、且つ第2導電型の半導体からなる、前記第1蓄積領域より深く形成された第2蓄積領域とを備え、 前記第1蓄積領域は前記転送ゲートの端部において前記転送ゲート側に向かって伸びており、前記第2蓄積領域は前記転送ゲートの端部において前記転送ゲート側に向かって伸びていないことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
H01L27/146 ,  H04N5/335
FI (2件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 U
Fターム (17件)：
4M118AA02 ,  4M118AA04 ,  4M118AB01 ,  4M118BA09 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA19 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118FA34 ,  5C024CX03 ,  5C024CY42 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024HX17
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM