特許
J-GLOBAL ID：200903022223883302
加工装置及び加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
亀谷 美明
, 金本 哲男
, 萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-210381
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027577
出願日： 2005年07月20日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：
【課題】酸化膜形成手段を増設しても加工装置の設置スペースを低減できるとともに,短時間で効率的に酸化膜を形成でき,さらに,搬送に伴う半導体ウェハの破損を防止することが可能な加工装置を提供すること。【解決手段】半導体ウェハWを保持する保持手段5と,保持手段6により保持された半導体ウェハのW裏面を研削する研削手段3,4と,保持手段6から搬送された半導体ウェハWを洗浄する洗浄手段30とを備えた加工装置1が提供される。この加工装置1は,洗浄手段30の洗浄用空間S内に出没自在に設けられ,洗浄手段30の保持部31により保持された状態の半導体ウェハWの裏面に対して,短波長紫外線を照射する紫外線照射手段40を備えることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体ウェハを保持する保持手段と,前記保持手段により保持された半導体ウェハの裏面を研削する研削手段と,前記保持手段から搬送された半導体ウェハを洗浄する洗浄手段とを備えた加工装置であって:
前記洗浄手段の洗浄用空間内に出没自在に設けられ,前記洗浄手段の保持部により保持された状態の前記半導体ウェハの裏面に対して,短波長紫外線を照射する紫外線照射手段を備えることを特徴とする,加工装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/304 631
, H01L21/304 622P
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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