特許
J-GLOBAL ID：200903004168461071
半導体ウエーハの加工方法および加工装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 尚純
, 奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-315164
公開番号（公開出願番号）：特開2005-085925
出願日： 2003年09月08日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：
【課題】 半導体ウエーハの裏面を研削等によって所定の厚さに加工しても、基板内に入り込んだ金属イオン等の移動を拘束することができるとともに、大気中の不純物が基板内に入ることをブロックすることができる半導体ウエーハの加工方法および加工装置を提供する。【解決手段】 表面に格子状に配列されたストリートによって多数の矩形領域が区画され、この区画された矩形領域に回路が形成された半導体ウエーハの加工方法であって、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに形成する研削行程と、所定の厚さに形成された半導体ウエーハの裏面に酸化被膜を形成する酸化被膜形成行程とを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
表面に格子状に配列されたストリートによって多数の矩形領域が区画され、この区画された矩形領域に回路が形成された半導体ウエーハの加工方法であって、
該半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに形成する研削行程と、
所定の厚さに形成された該半導体ウエーハの裏面に酸化被膜を形成する酸化被膜形成行程と、を含む、
ことを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/304 631
, H01L21/78 Q
