特許
J-GLOBAL ID：200903022244015750
フルオロケイ酸塩ガラス層を形成する方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-255352
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213388
出願日： 1995年10月02日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【課題】 誘電率を十分に低下させ、ギャップ・フィル容量を増加させる、十分なフッ素を有するFガラスの安定膜を形成する方法を提供する。【解決の手段】 CVD法において、2つのケイ素源を用いることにより、耐水性のフッ素添加酸化物が形成される。一方はフッ素前駆体であり、他方はフッ素前駆体からの過剰なフッ素と反応するために使用され、層内のフッ素基の数を低減する。フッ素前駆体は他のガラス要素と結合するガラス形成要素を含み、気体内にフッ素の1原子とガラス形成要素の1原子とを含む2原子基を生成する。
請求項（抜粋）：
酸素前駆気体及び少なくとも1原子のフッ素と、少なくとも1原子のガラス形成要素とを含む、気体グループから選択されるフッ素前駆気体を含む前駆気体の組を反応チャンバ内で混合する工程と、プラズマが少なくとも1つの上記前駆気体と相互作用するように、上記プラズマを上記反応チャンバ内に形成及び保持する工程と、上記フッ素前駆気体からのフッ素原子及びガラス形成要素の原子を含むラジカル基を取り込むことにより、フッ素を一部に含む上記酸化物層を形成する工程と、を含む、半導体基板上にフルオロケイ酸塩ガラス層を形成する方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, C23C 16/30
, H01L 21/31
