プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、並びに薄膜トランジスタの作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-411169
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207708
出願日： 2003年12月10日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】本発明は、プラズマと被処理物との距離の精密な制御を可能とし、厚さが薄く大型化した基板の搬送を容易にしたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】本発明は、大気圧もしくは大気圧近傍圧力下で第1及び第2の電極間(一対の電極間)にプロセス用ガスを導入するガス供給手段と、前記プロセス用ガスが導入された状態で、前記第1又は前記第2の電極に高周波電圧を印加してプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記プロセス用ガス又は搬送用ガスを被処理物に吹き付けることで、前記被処理物を浮上させて搬送する搬送手段とを有するプラズマ処理装置を提供する。そして、前記第1及び前記第2の電極と、前記被処理物との相対位置を移動して、前記被処理物又は前記被処理物の表面にエッチング処理、アッシング処理、プラズマCVD法による薄膜の成膜(形成)を行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

大気圧もしくは大気圧近傍圧力下で第1及び第2の電極間にプロセス用ガスを導入するガス供給手段と、前記プロセス用ガスが導入された状態で、前記第1又は前記第2の電極に高周波電圧を印加してプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記プロセス用ガス又は搬送用ガスを被処理物に吹き付けることで、前記被処理物を浮上させて搬送する搬送手段とを有し、前記第1及び前記第2の電極と、前記被処理物との相対位置を移動して、前記被処理物にエッチング処理、アッシング処理、又は薄膜の形成を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (11件)：

H01L21/205 , B65G49/00 , B65G49/06 , B65G49/07 , C23C16/513 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L21/68 , H01L29/786 , H05H1/24

FI (13件)：

H01L21/205 , B65G49/00 A , B65G49/06 Z , B65G49/07 J , C23C16/513 , H01L21/304 645C , H01L21/304 648A , H01L21/68 A , H01L21/68 N , H05H1/24 , H01L21/302 101E , H01L29/78 627G , H01L29/78 627B

Fターム (99件)：

4K030FA01 , 4K030JA09 , 4K030JA17 , 4K030JA18 , 4K030KA17 , 4K030LA11 , 5F004AA14 , 5F004BC03 , 5F004BC06 , 5F004BD01 , 5F004BD04 , 5F004DA01 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA24 , 5F004DA26 , 5F004DB26 , 5F031CA02 , 5F031CA05 , 5F031FA01 , 5F031FA02 , 5F031FA07 , 5F031FA11 , 5F031FA12 , 5F031FA14 , 5F031GA02 , 5F031GA43 , 5F031GA62 , 5F031HA37 , 5F031HA60 , 5F031MA23 , 5F031MA28 , 5F031MA32 , 5F031NA04 , 5F031NA07 , 5F031NA16 , 5F031PA18 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AE29 , 5F045CA15 , 5F045DP05 , 5F045DP21 , 5F045DP27 , 5F045DQ16 , 5F045EF01 , 5F045EH04 , 5F045EH13 , 5F045EN04 , 5F045HA23 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC08 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE05 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110HL23 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110QQ09 , 5F110QQ12

引用特許：

出願人引用 (8件)

プラズマ加工装置、製造工程およびそのデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-309808 出願人：大見忠弘
半導体製造方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-337826 出願人：株式会社日立製作所
半導体素子の製造方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-348738 出願人：積水化学工業株式会社, 株式会社ケミトロニクス

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審査官引用 (11件)

半導体製造方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-337826 出願人：株式会社日立製作所
半導体ウエハ製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-092756 出願人：株式会社スーパーシリコン研究所
半導体素子の製造方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-348738 出願人：積水化学工業株式会社, 株式会社ケミトロニクス

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