特許

J-GLOBAL ID：200903022276980245

炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者： 谷本 智 ,  大串 秀世 ,  早見 泰明
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  日産自動車株式会社
代理人 (2件)： 永井 冬紀 ,  永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-265646
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075908
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】電極とする導体膜のパターニング時に導体膜が酸化されないようにする。【解決手段】SiC基板1の上にSiCの熱酸化膜3と上部絶縁膜4からなるフィールド絶縁膜5が形成される。表面電子濃度が高くされたn型領域2上において、フィールド絶縁膜5に開口部6が設けられる。第1の導体膜7は、開口部6の底面のn型領域2に接するとともに、n型領域2を覆うように設けられる。第2の導体膜8は第1の導体膜7の上に設けられる。第2の導体膜8は、酸化種を第1の導体膜7に透過させないように耐酸化性を有する。この結果、第1の導体膜7の酸化を防止して酸化物によるコンタクト抵抗の上昇が起こらない。第3の導体膜9は、配線として第2の導体膜8の上に設けられる。

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体基板上に設けられ、周囲に比べて表面電子濃度が高いコンタクト領域と、前記基板上に設けられ、炭化珪素の熱酸化膜と熱酸化以外の方法で成膜される絶縁膜とからなる積層絶縁膜と、前記コンタクト領域上の一部で前記積層絶縁膜を貫通するように設けられるコンタクトホールと、前記コンタクト領域に接するとともに前記コンタクトホールの底部を覆うように配設される耐酸化性の導体膜とによるコンタクト構造を備える炭化珪素半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (8件)：

H01L 21/28 301 F ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/28 G ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/306 D ,  H01L 21/306 N ,  H01L 21/88 G ,  H01L 21/90 C

Fターム (81件)：

4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD11 ,  4M104DD19 ,  4M104DD23 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD63 ,  4M104DD68 ,  4M104FF13 ,  4M104FF22 ,  4M104HH15 ,  5F004AA14 ,  5F004BA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004EA10 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033GG01 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH23 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ31 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033NN03 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ44 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ64 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR02 ,  5F033RR04 ,  5F033RR14 ,  5F033SS12 ,  5F033SS13 ,  5F033SS27 ,  5F033TT04 ,  5F033WW02 ,  5F033WW04 ,  5F033XX09 ,  5F033XX20 ,  5F043AA29 ,  5F043BB21 ,  5F043DD15 ,  5F043GG02 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-121530   出願人：三菱マテリアル株式会社, 財団法人地球環境産業技術研究機構
• 特開平2-010772
  
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-341568   出願人：株式会社リコー
• SiC上のPt電極への配線構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-168736   出願人：三菱マテリアル株式会社, 財団法人地球環境産業技術研究機構
• 炭素を含むIV族半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-207634   出願人：株式会社東芝