特許
J-GLOBAL ID：200903022346372060
パターン化されたサファイア基板および発光ダイオードの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
筒井 大和
, 小塚 善高
, 筒井 章子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-011494
公開番号（公開出願番号）：特開2008-078603
出願日： 2007年01月22日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：
パターン化サファイア基板の製造方法を提供する。本製造方法は、以下の処理を含んでいる。最初に、サファイア基板を準備し、そのサファイア基板上にマスク層を形成する。ここで、適切なパターンを有するそのマスク層は、サファイア基板の一部を露出させている。次いで、ウェットエッチング処理を行い、サファイア基板の露出部分を除去する。このウェットエッチング処理でのエッチング剤には、硫酸および硫酸とリン酸との混合物が含まれる。次に、マスク層を除去し、パターン化サファイア基板を形成する。さらに、発光ダイオードの製造方法を提供する。【選択図】図1D
請求項（抜粋）：
サファイア基板を準備する工程と、
前記サファイア基板上に、前記サファイア基板の一部を露出させるマスク層を形成する工程と、
エッチング剤が硫酸を含む第1のウェットエッチング処理を行い、前記サファイア基板の露出部分を除去する工程と、
前記マスク層を除去する工程と、
を有する、パターン化されたサファイア基板の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, C30B 29/20
, C30B 33/10
, C23C 16/02
H01L33/00 C
, H01L21/205
, C30B29/20
, C30B33/10
, C23C16/02
4G077AA02
, 4G077BB01
, 4G077FG06
, 4G077HA12
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030CA05
, 4K030DA02
, 4K030DA04
, 4K030FA10
, 4K030LA14
, 5F041AA04
, 5F041AA40
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA74
, 5F045AA04
, 5F045AA06
, 5F045AB09
, 5F045AF09
, 5F045AF12
, 5F045CA10
, 5F045HA04
