特許
J-GLOBAL ID：200903022406341835
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-238674
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051557
出願日： 2001年08月07日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：
【要約】【課題】 トランジスタのカットオフ特性を向上させた微細な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10と、この半導体基板中に形成された素子領域と、前記半導体基板中の素子領域を分離する素子分離領域と、前記素子領域に複数個形成され、それぞれが等しいゲート長を有し、かつ、互いにこのゲート長と等しい離間距離を隔てるメモリセルゲート1と、このメモリセルゲートとの間に前記離間距離を隔てて隣接して、それぞれが前記離間距離を隔てていて、それぞれが前記ゲート長を有して形成された2つの選択ゲート2とを備える不揮発性半導体記憶装置としている。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板中に形成された素子領域と、前記半導体基板中の素子領域を分離する素子分離領域と、前記素子領域に複数個形成され、それぞれが等しいゲート長を有し、かつ、互いにこのゲート長と等しい離間距離を隔てるメモリセルゲートと、このメモリセルゲートとの間に前記離間距離を隔てて隣接して、それぞれが前記離間距離を隔てていて、それぞれが前記ゲート長を有して形成された2つの選択ゲートとを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
5F083EP02
, 5F083EP23
, 5F083EP33
, 5F083EP34
, 5F083EP55
, 5F083EP56
, 5F083EP76
, 5F083EP79
, 5F083GA09
, 5F083LA21
, 5F083PR43
, 5F083PR53
, 5F083ZA01
, 5F101BA29
, 5F101BA36
, 5F101BB05
, 5F101BD22
, 5F101BH21
