特許
J-GLOBAL ID:200903022505504037
電気光学装置及びその製造方法、電子機器、並びに半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-294429
公開番号(公開出願番号):特開2007-102054
出願日: 2005年10月07日
公開日(公表日): 2007年04月19日
要約:
【課題】例えば液晶装置等の電気光学装置において、表示領域ではポリシリコンからなる半導体層を形成すると共に周辺領域では平坦な単結晶シリコン膜からなる半導体層を形成する。【解決手段】電気光学装置は、基板上に、表示領域に配列された複数の画素部と、表示領域の周辺に位置する周辺領域に配置されており、複数の画素部を駆動するための、第1単結晶シリコン膜からなるSOI(Silicon On Insulator)構造をなす第1半導体層及び該第1半導体層上にエピタキシャル成長により形成された第2単結晶シリコン膜からなる第2半導体層を有する半導体素子を含む駆動回路とを備える。【選択図】図7
請求項(抜粋):
基板上に、
表示領域に配列された複数の画素部と、
前記表示領域の周辺に位置する周辺領域に配置されており、前記複数の画素部を駆動するための、第1単結晶シリコン膜からなるSOI(Silicon On Insulator)構造をなす第1半導体層及び該第1半導体層上にエピタキシャル成長により形成された第2単結晶シリコン膜からなる第2半導体層を有する半導体素子を含む駆動回路と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
IPC (6件):
G02F 1/134
, G02F 1/136
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
, G09F 9/30
FI (6件):
G02F1/1345
, G02F1/1368
, H01L29/78 612B
, H01L29/78 627G
, H01L21/20
, G09F9/30 338
Fターム (89件):
2H092GA59
, 2H092JA24
, 2H092KA03
, 2H092KA04
, 2H092KA05
, 2H092MA30
, 2H092NA05
, 2H092NA22
, 2H092NA24
, 2H092PA06
, 2H092PA13
, 2H092RA05
, 5C094AA13
, 5C094AA21
, 5C094AA25
, 5C094BA03
, 5C094BA43
, 5C094CA19
, 5C094DA13
, 5C094FB14
, 5C094GB10
, 5C094HA10
, 5F110AA01
, 5F110AA06
, 5F110AA16
, 5F110AA30
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110CC02
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110EE28
, 5F110FF02
, 5F110FF09
, 5F110FF23
, 5F110FF32
, 5F110GG02
, 5F110GG12
, 5F110GG13
, 5F110GG19
, 5F110GG36
, 5F110GG42
, 5F110GG44
, 5F110HJ01
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL05
, 5F110HL06
, 5F110HL08
, 5F110HL11
, 5F110HM14
, 5F110HM15
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN25
, 5F110NN26
, 5F110NN42
, 5F110NN46
, 5F110NN54
, 5F110NN55
, 5F110NN72
, 5F110NN73
, 5F110NN78
, 5F110PP03
, 5F110PP10
, 5F110PP36
, 5F110QQ11
, 5F110QQ16
, 5F110QQ19
, 5F152AA06
, 5F152AA13
, 5F152BB02
, 5F152CC02
, 5F152CD02
, 5F152CD05
, 5F152CD09
, 5F152CD13
, 5F152CD14
, 5F152CD17
, 5F152CE05
, 5F152EE16
, 5F152FF01
, 5F152FF21
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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