特許
J-GLOBAL ID：200903022511279673

極微細構造およびその製造方法

発明者：
中 山 知 信

中 山 知 信 について

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尾 上 順

尾 上 順 について

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武 内 一 夫

武 内 一 夫 について

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青 野 正 和

青 野 正 和 について


出願人/特許権者：
理化学研究所

理化学研究所 について


代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-265572
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075863
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】極微細化と高密度を高いスループットで実現する極微細構造の製造方法を提供する。【解決手段】 ダングリングボンドを有するSi(111)7×7基板11上に、このダングリングボンドと結合するAgを供給し、前記ダングリングボンドが残存する線状の活性領域(ST)を選択的に形成する工程と、フラーレンC6031を蒸着させて残存するダングリングボンドと結合させ、活性領域(ST)に一次元分子マスクを形成する工程と、熱処理によりAgを除去した後、フラーレンC6031と結合する力が相互に結合する力よりもはるかに小さいアモルファスシリコン層41を基板11上に成長させる工程と、アモルファスシリコン層41を活性化させて一次元分子マスクの領域間に移動させ、フラーレンC6031を露出させる工程と、を備える。
請求項（抜粋）：
ダングリングボンドを有する第1の物質でなる層を表面に有する基板上に、前記ダングリングボンドと結合する第2の物質を供給し、前記ダングリングボンドが残存する線状の活性領域を選択的に形成する第1の工程と、フラーレン分子を蒸着させて前記残存するダングリングボンドと結合させ、前記活性領域に一次元分子マスクを形成する第2の工程と、前記フラーレン分子と結合する力が相互に結合する力よりもはるかに小さい第3の物質を前記基板上に堆積させる第3の工程と、前記第3の物質を活性化させて前記一次元分子マスクの領域間に移動させ、前記フラーレン分子を露出させる第4の工程と、を備える極微細構造の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/203
FI (2件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/203 Z
Fターム (8件)：
5F052KA03 ,  5F103AA01 ,  5F103DD30 ,  5F103GG05 ,  5F103HH03 ,  5F103NN04 ,  5F103RR05 ,  5F103RR06
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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