特許
J-GLOBAL ID:200903040934418988

磁気検出素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 野▲崎▼ 照夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-240552
公開番号(公開出願番号):特開2005-051251
出願日: 2004年08月20日
公開日(公表日): 2005年02月24日
要約:
【課題】 CPP型磁気検出素子において、固定磁性層及び/またはフリー磁性層の材質および膜構造を改良することで、抵抗変化量(ΔR)及び抵抗変化率(ΔR/R)の向上を図ることが可能な磁気検出素子を提供することを目的としている。【解決手段】 固定磁性層20及びフリー磁性層26には、強磁性且つハーフメタル的な合金層で形成された磁性層17、22が形成されている。前記ハーフメタル的な性質を有する合金層からなる磁性層17、22は、従来のCoFe合金などに比べてβ値が大きく、また比抵抗値ρも大きいから、従来よりも抵抗変化量ΔRを大きくすることができ、抵抗変化率(ΔR/R)の向上を適切に図ることが可能になる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
反強磁性層、固定磁性層、非磁性導電材料層及びフリー磁性層を有する多層膜が設けられ、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れる磁気検出素子において、 前記固定磁性層及びフリー磁性層の少なくとも一方は、強磁性且つハーフメタル的な合金層を有して形成されていることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (6件):
H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  G11C11/16 ,  H01F10/08 ,  H01F10/16
FI (7件):
H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  G11C11/16 ,  H01F10/08 ,  H01F10/16 ,  G01R33/06 R
Fターム (12件):
2G017AA10 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA12 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049CB01
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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