特許
J-GLOBAL ID：200903022618280399

半導体レーザ装置、半導体レーザパッケージおよび半導体レーザ素子の製造方法

発明者：
妹尾 雅之

妹尾 雅之 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-307861
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127382
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 本発明の目的は、レーザー光の光出力が極めて安定な半導体レーザ装置を提供することである。【解決手段】 半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子からの光出力を検出する検出器と、前記検出器によって検出された光出力に応じて前記半導体レーザ素子を駆動する駆動回路から構成される半導体レーザ装置であって、前記半導体レーザ素子1は、少なくともn型コンタクト層102、n型クラッド層103、n型ガイド層104、活性層105、p型ガイド層106、p型クラッド層107、p型コンタクト層108が順に積層された半導体レーザ素子であり、n型コンタクト層より下方の外面の全面が非透過膜133によって覆われている。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子からの光出力を検出する検出器と、前記検出器によって検出された光出力に応じて前記半導体レーザ素子を駆動する駆動回路から構成される半導体レーザ装置であって、前記半導体レーザ素子は、少なくともn型コンタクト層、n型クラッド層、n型ガイド層、活性層、p型ガイド層、p型クラッド層、p型コンタクト層が順に積層された半導体レーザ素子であり、n型コンタクト層より下方の外面の全面が非透過膜によって覆われていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 5/323 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/0683
FI (3件)：
H01S 5/323 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/0683
Fターム (13件)：
5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA17 ,  5F073CB00 ,  5F073CB01 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073EA05 ,  5F073EA15 ,  5F073FA05 ,  5F073GA12
引用特許：
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM