ウエーハのレーザー加工方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小野尚純 , 奥貫佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-204879
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032419
出願日： 2004年07月12日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】シリコン等の半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハを、該ウエーハを区画するストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成し、該レーザー加工溝の両側で積層体の剥離が生じても実質的にデバイスに影響を及ぼすことがない大きさに抑えることができるウエーハのレーザー加工方法を提供する。【解決手段】基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイス22が形成されたウエーハ2の該複数のデバイス22を区画するストリート23に沿ってパルスレーザー光線を照射し、該ストリート23に沿ってレーザー加工溝を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、パルスレーザー光線のパルス幅が100〜1000nsに設定されている。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハの該複数のデバイスを区画するストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射し、該ストリートに沿ってレーザー加工溝を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、パルスレーザー光線のパルス幅が100〜1000nsに設定されている、ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 , B23K 26/00

FI (2件)：

H01L21/78 B , B23K26/00 D

Fターム (8件)：

4E068AD01 , 4E068CA02 , 4E068CA03 , 4E068CA04 , 4E068CA07 , 4E068CA15 , 4E068CE04 , 4E068DA10

引用特許：

出願人引用 (1件)

レーザビームを使用した加工機
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-131776 出願人：株式会社ディスコ

審査官引用 (7件)

金属表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-239813 出願人：株式会社日立製作所
半導体ウエハおよび半導体チップならびにダイシング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-059790 出願人：株式会社日立製作所
レーザビームを使用した加工機
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-131776 出願人：株式会社ディスコ

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