シャワーヘッド及びシャワーヘッドを用いた半導体熱処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-259587
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103630
出願日： 2002年09月05日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】反応ガスが半導体基板以外と接触して分解することなく、また、半導体基板の面と反応する反応ガスの濃度がすべての面で略等しくなるようにする半導体熱処理装置を提供することである。【解決手段】半導体基板表面に対し反応性ガスを均一な濃度で供給すると共に排気するシャワーヘッドにおいて、前記シャワーヘッドに反応ガス供給穴と反応ガス排気穴で構成したガス吸排気単位を等間隔に設け、前記シャワーヘッドに冷却手段を設け、前記シャワーヘッド内に供給ガス蓄積領域と排気ガス蓄積領域とを備え、供給細管により前記供給ガス蓄積領域と前記反応ガス供給穴を結び、排気細管により前記排気ガス蓄積領域と前記反応ガス排気穴を結ぶことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に対し反応性ガスを均一な濃度で供給すると共に排気するシャワーヘッドにおいて、前記シャワーヘッドに反応ガス供給穴と反応ガス排気穴で構成したガス吸排気単位を等間隔に設け、前記シャワーヘッドに冷却手段を設け、前記シャワーヘッド内に供給ガス蓄積領域と排気ガス蓄積領域とを備え、供給細管により前記供給ガス蓄積領域と前記反応ガス供給穴を結び、排気細管により前記排気ガス蓄積領域と前記反応ガス排気穴を結ぶことを特徴とするシャワーヘッド。

IPC (1件)：

H01L21/31

FI (1件)：

H01L21/31 E

Fターム (16件)：

5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045BB02 , 5F045BB07 , 5F045BB09 , 5F045DP03 , 5F045DQ06 , 5F045EB02 , 5F045EB03 , 5F045EE20 , 5F045EF05 , 5F045EF11 , 5F045EG01 , 5F045EJ01 , 5F045EK07 , 5F045EK13

引用特許：

審査官引用 (5件)

成膜処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-351800 出願人：東京エレクトロン株式会社
基板表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-337750 出願人：日産自動車株式会社
半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-241978 出願人：株式会社日立製作所

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