特許
J-GLOBAL ID:200903022717531581

液晶素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梅田 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-249644
公開番号(公開出願番号):特開平10-096965
出願日: 1996年09月20日
公開日(公表日): 1998年04月14日
要約:
【要約】【課題】 反強誘電性液晶あるいは可視光よりらせんピッチの短い強誘電性液晶相を用いた場合、液晶セル作製の初期段階において、消光性の良い配向状態を作ることにより、良好な配向性、高コントラストな液晶素子を得る。【解決手段】 少なくとも透明電極と配向制御層とを有する一対の基板を一定のセル厚間隔で対向させ、該基板間に液晶材料を挟持し、該液晶材料が反強誘電性液晶相又は可視光よりらせんピッチの短い強誘電性液晶相を示し、かつ、該液晶材料が高温側でキラルネマチック液晶相を示し、両基板における配向制御層の一軸配向処理の方向が、基板面に垂直な方向から見たときに略平行であり、かつ、該液晶相を示す温度において液晶がシェブロン層構造をとっており、かつ、シェブロン層構造の方向と液晶分子のプレティルトの方向が同一であることを特徴とする。
請求項(抜粋):
少なくとも透明電極と配向制御層とを有する一対の基板を一定のセル厚間隔で対向させ、該基板間に液晶材料を挟持し、該液晶材料が反強誘電性液晶相又は可視光よりらせんピッチの短い強誘電性液晶相を示し、かつ、該液晶材料が高温側でキラルネマチック液晶相を示し、両基板における配向制御層の一軸配向処理の方向が、基板面に垂直な方向から見たときに略平行であり、かつ、該液晶相を示す温度において液晶がシェブロン層構造をとっており、かつ、シェブロン層構造の方向と液晶分子のプレティルトの方向が同一であることを特徴とする液晶素子。
IPC (2件):
G02F 1/141 ,  G02F 1/1337 510
FI (2件):
G02F 1/137 510 ,  G02F 1/1337 510
引用特許:
審査官引用 (9件)
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