特許

J-GLOBAL ID：200903022750961680

洗浄方法

発明者： 後藤 日出人 ,  丹生谷 貴行 ,  森 宏幸 ,  松永 裕嗣 ,  石原 福三郎 ,  木村 善哉 ,  外赤 隆二 ,  後藤 拓也 ,  青山 哲男 ,  安部 幸次郎
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  三菱瓦斯化学株式会社
代理人 (1件)： 大谷 保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-309172
公開番号（公開出願番号）：特開2002-113431
出願日： 2000年10月10日
公開日（公表日）： 2002年04月16日
要約：

【要約】【課題】 被処理物表面の強固な付着物を、被処理物にダメージを与えずに容易に除去することができる洗浄方法を提供する。【解決手段】 酸化剤、キレート剤及びフッ素化合物を含有する洗浄剤を被処理物の表面に高速で流すことにより該表面を洗浄することを特徴とする洗浄方法である。

請求項（抜粋）：

酸化剤、キレート剤及びフッ素化合物を含有する洗浄剤を被処理物の表面に高速で流すことにより該表面を洗浄することを特徴とする洗浄方法。

IPC (9件)：

B08B 3/08 ,  C11D 7/28 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/36 ,  C11D 7/50 ,  C11D 7/54 ,  C11D 7/60 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304

FI (10件)：

B08B 3/08 A ,  C11D 7/28 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/36 ,  C11D 7/50 ,  C11D 7/54 ,  C11D 7/60 ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/304 647 B

Fターム (21件)：

3B201AA03 ,  3B201AA46 ,  3B201AB01 ,  3B201BB05 ,  3B201BB82 ,  3B201BB90 ,  3B201BB92 ,  3B201BB93 ,  3B201BB94 ,  3B201BB96 ,  3B201CB01 ,  3B201CC01 ,  3B201CC21 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003EB24 ,  4H003ED02 ,  4H003ED19 ,  4H003ED31 ,  4H003EE04 ,  4H003FA15

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体表面洗浄剤及び洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-159893   出願人：和光純薬工業株式会社
• レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-060219   出願人：三菱瓦斯化学株式会社
• 液処理槽および液処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-224209   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置用洗浄剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-221564   出願人：三菱瓦斯化学株式会社
• フリップチップ実装物のフラックス除去用洗浄剤およびフリップチップ実装物の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-225924   出願人：荒川化学工業株式会社