特許
J-GLOBAL ID：200903022974005343
研磨剤及び研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-252402
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153696
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【解決手段】 酸化セリウム粉に含まれる不純物であるNa、Ca、Fe、Crを合計した濃度が10ppm未満のセリア研磨剤を用いて絶縁膜13を研磨する。【効果】 Na拡散による半導体素子の特性劣化を引き起こすことなく、比較的低温で形成された脆い無機絶縁膜や有機絶縁膜を、研磨できる。
請求項（抜粋）：
基体上の有機絶縁膜の主表面を、酸化セリウムにより研磨することを特徴とする研磨方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24B 37/00
, C09K 3/14 550
