半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-063004
公開番号（公開出願番号）：特開2004-343059
出願日： 2004年03月05日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：

【課題】発光素子を封止する封止体と突出部との密着性に優れた発光装置を提供すること、該封止体及び突出部の形成が容易な発光装置の製造方法を提供すること。【解決手段】発光素子10が載置されたステムの凹部20aに(第一の工程)、ゲル状の第1のシリコーン樹脂を封入する(第二の工程)。その第1のシリコーン樹脂をゲル化する。予め第2のシリコーン樹脂が充填された封止用型枠300内に、ステムの凹部20aを下向きにして、浸積させる(第三の工程)。第2のシリコーン樹脂を硬化する(第四の工程)。硬化により、第1のシリコーン樹脂の未反応成分と、第2のシリコーン樹脂の硬化成分とが反応して、第1のシリコーン樹脂の組成から第2のシリコーン樹脂の組成へと組成が徐々に変化していく組成傾斜層31を形成する。これにより、ゲル状の封止体30と、エラストマーの突出部40とを有する発光装置100を提供する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体素子と、前記半導体素子を載置するステムと、前記半導体素子を覆う封止体と、前記封止体及び前記ステムの少なくとも一部を覆う突出部と、を有する半導体装置であって、前記封止体は、第1のシリコーン樹脂を有しており、該第1のシリコーン樹脂は、ゲル状又はゾル状のシリコーン樹脂であり、前記突出部は、第2のシリコーン樹脂を有しており、該第2のシリコーン樹脂は、前記第1のシリコーン樹脂よりも硬いことを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (17件)：

5F041AA37 , 5F041AA44 , 5F041CA34 , 5F041CA84 , 5F041CA88 , 5F041DA03 , 5F041DA12 , 5F041DA19 , 5F041DA20 , 5F041DA21 , 5F041DA32 , 5F041DA45 , 5F041DA58 , 5F041DA62 , 5F041DA75 , 5F041DB01 , 5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開昭54-19660号公報
半導体発光装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-005109 出願人：株式会社東芝
発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-110675 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (4件)

発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-110675 出願人：株式会社東芝
発光素子とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-249811 出願人：日亜化学工業株式会社
発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-110673 出願人：豊田合成株式会社, 株式会社東芝

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