特許
J-GLOBAL ID：200903023097873106

GaN結晶基板およびその製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法

発明者：
田中 仁子

田中 仁子 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-038648
公開番号（公開出願番号）：特開2007-217216
出願日： 2006年02月15日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：
【課題】結晶成長面上に結晶性のよい半導体層を成長させることが可能な、裏面の反りの小さいGaN結晶基板およびその製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】本GaN結晶基板は、結晶成長面10cの反対側の面である裏面10rの反りw(R)が-50μm≦w≦50μmであり、裏面10rの面粗さRa(R)をRa(R)≦10μm、裏面10rの面粗さRy(R)をRy(R)≦75μmとすることができる。また、本半導体デバイスの製造方法は、基板として上記GaN結晶基板10を選択し、このGaN結晶基板10の結晶成長面10c側に少なくとも1層のIII族窒化物結晶層20を成長させる工程を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
結晶成長面の反対側の面である裏面の反りw(R)が、-50μm≦w≦50μmであるGaN結晶基板。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/306 ,  C30B 33/08
FI (3件)：
C30B29/38 D ,  H01L21/306 B ,  C30B33/08
Fターム (10件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077FG05 ,  4G077FG11 ,  4G077HA12 ,  5F043AA05 ,  5F043BB10 ,  5F043FF07
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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