特許
J-GLOBAL ID：200903075373578954

半導体基板、自立基板及びそれらの製造方法、並びに基板の研磨方法

発明者：
柴田 真佐知

柴田 真佐知 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-127202
公開番号（公開出願番号）：特開2005-306680
出願日： 2004年04月22日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】 アズグロウンの状態で、少なくともエピタキシャル成長層側表面の平坦性が高く、その後の研磨が容易な半導体基板とその製造方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板11上にGaNエピタキシャル成長層12を形成させることにより反りを生じるような結晶成長系の半導体基板10であって、GaNエピタキシャル成長層12は反りの影響を予め相殺するように、サファイア基板11の中央部上の厚さt1を、サファイア基板11の端部上の厚さt2よりも小さくなるように形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
異種基板上にエピタキシャル成長層を形成させることにより反りを生じるような結晶成長系の半導体基板であって、前記反りの影響を予め相殺するように前記エピタキシャル成長層の膜厚に分布を持たせたことを特徴とする半導体基板。
IPC (6件)：
C30B25/02 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304
FI (6件)：
C30B25/02 Z ,  C30B29/38 D ,  C30B33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 621A
Fターム (28件)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077EH01 ,  4G077FG18 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TB03 ,  4G077TC13 ,  4G077TC14 ,  4G077TC16 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB11 ,  5F052KA05 ,  5F052KA06
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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