特許
J-GLOBAL ID：200903023104313529

単純マトリクス型メモリ素子の製造方法

発明者：
井上 聡

井上 聡 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-200274
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026282
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】 製造コストの削減を実現する単純マトリクス型メモリ素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板1上に周辺回路21,22を転写形成し、周辺回路21,22を含む基板1上に平坦化膜3を形成した後、平坦化膜3上にXストライプ電極61,62,...,6n、強誘電性有機薄膜7、及びYストライプ電極81,82,...,8mを順次形成して単純マトリクス構造のメモリセルを形成する。この製法により、周辺回路21,22を構成するTFT等の各種半導体素子はTFT基板として必要な部分のみ作成すればよいため、メモリ素子の基板1として材質を自由選ぶことができ、メモリ素子の製造コストを下げることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に周辺回路を転写形成する工程、当該周辺回路を含む基板上に平坦化膜を形成する工程、及び当該平坦化膜上に単純マトリクス構造のメモリセルを形成する工程を備えた単純マトリクス型メモリ素子の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 27/105 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 471 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 471 ,  H01L 27/12 B ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 29/78 613 B ,  H01L 29/78 627 D
Fターム (14件)：
5F083FR01 ,  5F083FZ07 ,  5F083FZ10 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA44 ,  5F083JA58 ,  5F083PR38 ,  5F110BB08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD03 ,  5F110QQ16
引用特許：
審査官引用 (10件)
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