特許
J-GLOBAL ID：200903023106481607
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-134306
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323527
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 バンプを有する半導体装置の、バンプに起因する信頼性の低下を防止する。【解決手段】 半導体基板の表面上にバンプが形成されている。バンプの側面を導電性の被覆膜が覆う。実装基板が、半導体基板の表面に対向するように配置される。実装基板の対向面上に導電性の接合部材が形成されている。接合部材は、バンプの上面に密着する。接合部材の材料の、被覆膜の材料に対する濡れ性が、バンプの材料に対する濡れ性よりも悪い。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面上に形成されたバンプと、前記バンプの側面を覆う導電性の被覆膜と、前記半導体基板の前記表面に対向するように配置された実装基板と、前記実装基板の対向面上に形成された導電性の接合部材であって、該接合部材が前記バンプの上面に密着し、該接合部材の材料の、前記被覆膜の材料に対する濡れ性が、前記バンプの材料に対する濡れ性よりも悪い前記接合部材とを有する半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/92 604 A
5F044KK01
, 5F044LL00
, 5F044QQ02
, 5F044QQ03
, 5F044QQ04
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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