特許
J-GLOBAL ID：200903023122003200
半導体装置及びその製造方法及びリードフレームの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-192011
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312749
出願日： 1998年07月07日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【課題】本発明は高密度化された外部接続電極を有した半導体装置及びその製造方法及びリードフレームの製造方法に関し、小型化及び高密度化を図ることを課題とする。【解決手段】半導体素子11と、この半導体素子を封止する樹脂パッケージ12と、この樹脂パッケージ12の実装側平面16に露出形成された金属膜13と、半導体素子11上の電極パッドと金属膜13とを電気的に接続するワイヤ18とを具備してなる半導体装置において、金属膜13の実装側面に外部接続端子として機能するスタッドバンプ17を配設する。
請求項（抜粋）：
半導体素子を樹脂封止すると共に、該半導体素子と外部接続端子とを接続手段により電気的に接続してなる半導体装置において、前記外部接続端子をスタッドバンプにより構成したことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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