特許
J-GLOBAL ID:200903023124569562
酸化亜鉛薄膜およびその成膜方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-233563
公開番号(公開出願番号):特開2004-076025
出願日: 2002年08月09日
公開日(公表日): 2004年03月11日
要約:
【課題】良好な結晶性を有する膜を高い成膜速度で大面積に成膜することができる酸化亜鉛薄膜の成膜方法およびこの方法により成膜した酸化亜鉛薄膜を提供する。【解決手段】成膜室中に陽極として配置されたハースに装填された酸化亜鉛を主成分とする蒸着材料に向けてアーク放電による高密度プラズマビームを供給して蒸着物質を蒸発させてイオン化し、蒸着材料と対向して配置された基板の表面に蒸着物質を付着させて薄膜を得る。このとき、ハースの周囲に配した磁場制御部材によりハースに近接した上方の磁界を制御し、また、ハースが真空容器に対して+30〜+60Vの電位となるように電圧を印加する。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
イオンプレーティング法による酸化亜鉛薄膜の成膜方法であって、
成膜室中に陽極として配置されたハースに酸化亜鉛を主成分とする蒸着材料を配置し、
該ハースの周囲に配した磁場制御部材により該ハースに近接した上方の磁界を制御し、
該蒸着材料に向けてアーク放電による高密度プラズマビームを供給して蒸着物質を蒸発させてイオン化し、該蒸着材料と対向して配置された基板の表面に該蒸着物質を付着させ薄膜を得ることを特徴とする酸化亜鉛薄膜の成膜方法。
IPC (2件):
FI (2件):
C23C14/08 C
, C23C14/32 A
Fターム (8件):
4K029BA43
, 4K029BA49
, 4K029CA03
, 4K029DB01
, 4K029DB05
, 4K029DD00
, 4K029DD05
, 4K029DD06
引用特許:
出願人引用 (8件)
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半導体発光素子、およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-041888
出願人:株式会社村田製作所
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ZnO結晶、その成長方法および光半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-102973
出願人:スタンレー電気株式会社
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成膜方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-323329
出願人:住友重機械工業株式会社
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透明導電膜の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-083983
出願人:スタンレー電気株式会社
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成膜方法及び装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-008806
出願人:住友重機械工業株式会社
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特開昭62-154411
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透明導電膜
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-204960
出願人:旭硝子株式会社
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ZnO系材料とその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-265774
出願人:関西ティー・エル・オー株式会社
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審査官引用 (9件)
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成膜方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-323329
出願人:住友重機械工業株式会社
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透明導電膜の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-083983
出願人:スタンレー電気株式会社
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成膜方法及び装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-008806
出願人:住友重機械工業株式会社
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