特許

J-GLOBAL ID：200903023258418919

半導体装置

発明者： 中柴 康隆
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-061985
公開番号（公開出願番号）：特開2008-227076
出願日： 2007年03月12日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：

【課題】従来の半導体装置においては、配線の伝送特性が不安定となってしまう。【解決手段】半導体装置1は、高周波配線10、ダミー導体パターン20、配線30、およびダミー導体パターン40を備えている。高周波配線10の近傍には、ダミー導体パターン20が配置されている。配線30の近傍には、ダミー導体パターン40が配置されている。高周波配線10とダミー導体パターン20との間の距離の最小値d1は、配線30とダミー導体パターン40との間の距離の最小値d2よりも大きい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

高周波配線である第1の配線と、 前記第1の配線の近傍に配置された第1のダミー導体パターンと、 第2の配線と、 前記第2の配線の近傍に配置された第2のダミー導体パターンと、を備え、 前記第1の配線と前記第1のダミー導体パターンとの間の距離の最小値は、前記第2の配線と前記第2のダミー導体パターンとの間の距離の最小値よりも大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/82

FI (5件)：

H01L27/04 L ,  H01L27/04 A ,  H01L21/88 Z ,  H01L21/88 S ,  H01L21/82 W

Fターム (26件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033MM01 ,  5F033QQ48 ,  5F033UU03 ,  5F033VV02 ,  5F033VV08 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX23 ,  5F033XX27 ,  5F038AZ04 ,  5F038CA09 ,  5F038CA18 ,  5F038CD10 ,  5F038CD13 ,  5F038EZ20 ,  5F064CC30 ,  5F064DD50 ,  5F064EE14 ,  5F064EE32 ,  5F064EE33 ,  5F064EE44 ,  5F064EE51

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法ならびにマスクデータの生成方法、マスクおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-076819   出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (5件)

• 半導体集積回路装置及びダミーメタルの挿入方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-078557   出願人：株式会社リコー
• 半導体装置
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2003006780   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-095054   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-016642   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-059466   出願人：NECエレクトロニクス株式会社